IRFD110

N-MOSFET 1A/100V

Gyártói jelölés	IRFD110PBF
RoHS	igen
Gyártó	VISHAY
Tokozás	DIP4
Teljesítmény	1.3W
Szerelés	THT
Tranzisztor típusa	N-MOSFET
Polaritás	egysarkú
Drén - forrás feszültség	100V
Drén áram	700mA, 0.71A
Ellenállás vezetési állapotban	0.54Ω
Kapu-forrás feszültség	±20V
Kapu töltés	8.3nC
Teljesítmény elosztás	1.3W

Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: Vishay Intertechnology, Inc.
Postai cím: 4840 Telefunkenstrasse 5, Voecklabruck, Austria
Elektronikus cím: https://www.vishay.com/

Cikkszám: 100.210.30

Mennyiség (db):

Egységár ÁFA nélkül

1+	299 Ft
5+	187 Ft
10+	165 Ft
20+	153 Ft
50+	143 Ft

* A megjelenített ár az egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül. Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.

Elérhetőség	Menny.
Raktáron	> 25
3 munkanap	> 10000
10-15 munkanap	> 5000

Adatlap, EN (PDF, 200 KB)

Kérdése van?

Írjon nekünk most!

Vásárolták még

Főoldal • Kosár • Szállítás • Súgó • GyIK • RMA • Általános szerződési feltételek (ÁSZF) • Adatvédelem • BK-KITS • HESTORE API • Elérhetőségek
HESTORE Hungary Kft, minden jog fenntartva!

Weboldalunk helyes működéséhez sütit készítünk az Ön böngészőjében.
Sütik használatáról bővebben itt olvashat.