Kérdése
van
?
Főkategória » Tranzisztorok » FET-ek »

IRF7306

Tranzisztor, P-MOSFET x2, HEXFET, -30V, -3.6A, 100mΩ, egysarkú, SO8
IRF7306 / Tranzisztor, P-MOSFET x2, HEXFET, -30V, -3.6A, 100mΩ, egysarkú, SO8 (IRF7306PBF / Infineon (IRF))
Generation V Technology
Ultra Low On-Resistance
Dual P-Channel Mosfet
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Gyártói jelölés IRF7306PBF
RoHS igen
Gyártó Infineon (IRF)
Tokozás SO8
Teljesítmény 2W
Szerelés SMD
Tranzisztor típusa HEXFET,
P-MOSFET x2
Polaritás egysarkú
Technológia HEXFET®
Drén - forrás feszültség -30V
Drén áram -3.6A
Ellenállás vezetési állapotban 100mΩ
Kapu-forrás feszültség 20V,
±20V
Kapu töltés 16.7nC
Termikus csatlakozó-környezet ellenállás 62.5K/W
Teljesítmény elosztás 2W
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Cikkszám: 100.261.63
Mennyiség (db):

Gyűjtőcsomagolás:
95 db / cső
Egységár ÁFA nélkül
1+ 363 Ft
5+ 227 Ft
10+ 204 Ft
20+ 191 Ft
50+ 181 Ft
* A megjelenített ár az egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül. Módosításához kattintson a fejléc ikonjára.

Elérhetőség Menny.
Rendelésre

Kérdése van?

Írjon nekünk most!
 
 
 
 
 
FőoldalKosárSzállításSúgóGyIKRMAÁltalános szerződési feltételek (ÁSZF)AdatvédelemBK-KITSHESTORE APIElérhetőségek
HESTORE Hungary Kft, minden jog fenntartva!

Weboldalunk helyes működéséhez sütit készítünk az Ön böngészőjében.
Sütik használatáról bővebben itt olvashat.